| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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MKI50-12E7 |
E2 | IXYS | 168 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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MKI50-12E7参数 产品类别：半导体模块-IGBT 说明：MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 90A E2 包装数量：6 包装形式： PDF资料下载：  PDF文档IGBT 类型：NPT 配置：全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）：2.4V @ 15V，50A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：90A 电流 - 集电极截止（最大）：800µA Vce 时的输入电容 (Cies)：3.8nF @ 25V 功率 - 最大：350W 输入：标准 NTC 热敏电阻：无 安装类型：底座安装 |
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热门型号： 圆形CA3108F24-7PB 圆形MS3110E12-3S 芯片电阻 - 表面MP725-10.0-1 PMIC - 稳压IR3838MTR1PBF 振荡器 - 可编程SG-8003LB-SEC Card EdgeABC17DREI-S13 矩形 - 外壳DF14-2S-1.25C 嵌入式 - FPGEX64-PTQG100I Card EdgeECC20DREH-S13 Card EdgeEBC35DCSN-S288 |
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